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Qualcomm Snapdragon 650 Geekbench 测试

Qualcomm Snapdragon 650 已在 Geekbench 基准测试中获得 700 / 275 分。 这使其领先于其竞争对手,例如 MediaTek MT8766B,后者在本次测试中获得了 688 / 164 分左右的分数。 我们已经看到它出现在 Xiaomi Max 和 Coolpad Tattoo 等手机中。主要规格是2个ARM Cortex-A72 1.8 GHz + 4个ARM Cortex-A53 1.4 GHz架构,它支持高达4 GB的内存,使用28 nm技术制造,并具有9TDP。 Qualcomm Snapdragon 650 有 6 个内核,这意味着它可以处理多任务并快速完成任务。 GPU是Adreno 510,CPU的时钟频率高达1.8 GHz。 您还将获得一个连接速度高达100 Mbps的内置调制解调器。 您可以在下面的数据表中将此芯片组排名与其他芯片组进行比较。

Qualcomm Snapdragon 650 Geekbench 测试
Qualcomm Snapdragon 650 Geekbench 测试
Qualcomm Snapdragon 650 Geekbench 测试

Qualcomm Snapdragon 650的Geekbench Benchmark成绩是多少?

CPUGeekbench 基准分数
Samsung Exynos 7872 775/298
Huawei HiSilicon Kirin 920 766/141
MediaTek MT6753 765/230
MediaTek Dimensity 1050 748/2144
Qualcomm Snapdragon 4 Gen 1 725/2177
Qualcomm Snapdragon 650 700/275
MediaTek MT8766B 688/164
MediaTek MT6755 677/178
MediaTek MT6750T 673/555
MediaTek MT6750 669/165
Xiaomi Surge S1 668/147

参数

CPU型号Qualcomm Snapdragon 650
发布日期2/18/2015
CPU架构2个ARM Cortex-A72 1.8 GHz + 4个ARM Cortex-A53 1.4 GHz
核心数6
CPU频率1.8 GHz
技术流程28 nm
GPUAdreno 510
TDP9
容量4 GB
FeaturesSnapdragon X8
Upload Speed100 Mbps