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Análise / Review

Qualcomm Snapdragon 835 3DMark benchmark-poeng

A Qualcomm Snapdragon 835 tem uma pontuação de aproximadamente 1069 pontos no benchmark 3DMark, o que a coloca acima de concorrentes como o Qualcomm Snapdragon 690 (que recebeu 1039 pontos neste teste). Foi usado para o Xiaomi MI6 C e para os smartphones LeEco Le X. Ele possui 8 núcleos, 2.45 GHz de frequência máxima, Adreno 540 GPU, e um suporte de memória de 8 Gb. A CPU é baseada na arquitetura 4x 2.45GHz Cortex-A73 + 4x 1.9GHz Cortex-A53, enquanto o chip é feito com tecnologia de 10 nm e tem um TDP de 9. O modem embutido suporta velocidades de até 150 Mbps. Sabemos que você quer ver como ele se compara com outros chips por aí, por isso incluímos uma folha de dados abaixo.

Qualcomm Snapdragon 835 3DMark Benchmark score
Qualcomm Snapdragon 835 3DMark Benchmark score

Quel est le score 3DMark Benchmark du Qualcomm Snapdragon 835 ?

CPUPontuação 3DMark Benchmark.
MediaTek Dimensity 700 1102
MediaTek Helio G99 1101
Qualcomm Snapdragon 7 Gen 4 1099
UNISOC T765 1099
MediaTek Helio G96 1084
Qualcomm Snapdragon 835 1069
Qualcomm Snapdragon 690 1039
UNISOC T750 1011
Qualcomm Snapdragon 480+ 989
Qualcomm Snapdragon 480 987
Samsung Exynos 8895 872

Özellikler

ModeloQualcomm Snapdragon 835
Data de lançamento03/22/2017
Arquitetura da CPU4x 2.45GHz Cortex-A73 + 4x 1.9GHz Cortex-A53
Número de Núcleos do CPU8
Velocidade do Processador2.45 GHz
Tecnologia de processo10 nm
Processador Gráfico (GPU)‎Adreno 540
TDP9
Memória8 Gb
FeaturesSnapdragon X16
Upload Speed150 Mbps