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리뷰

Qualcomm Snapdragon 835 3DMark Benchmark 테스트

Qualcomm Snapdragon 835の3DMarkベンチマークスコアは約1069 ポイントで、 Qualcomm Snapdragon 690(このテストで1039点を獲得)などの競合他社を上回っています。 Xiaomi MI6 CとLeEco Le Xのスマートフォンに使用されました。 Qualcomm Snapdragon 835は、8コア、2.45 GHzクロックレート、Adreno 540 GPU、および8 GBメモリサポートを誇る強力なプロセッサです。 CPUは4x 2.45GHz Cortex-A73 + 4x 1.9GHz Cortex-A53アーキテクチャに基づいていますが、チップは10 nmテクノロジーで作られ、9TDPを備えています。 内蔵モデムは150 Mbpsまでの速度をサポートします。 結果が他のチップとどのように比較されるかを確認したいので、以下にデータシートを含めました。

Qualcomm Snapdragon 835 3DMark Benchmark 테스트
Qualcomm Snapdragon 835 3DMark Benchmark 테스트

Qualcomm Snapdragon 835の3DMarkベンチマークスコアはいくつですか?

CPU3DMark 벤치마크 점수
MediaTek Dimensity 700 1102
MediaTek Helio G99 1101
Qualcomm Snapdragon 7 Gen 4 1099
UNISOC T765 1099
MediaTek Helio G96 1084
Qualcomm Snapdragon 835 1069
Qualcomm Snapdragon 690 1039
UNISOC T750 1011
Qualcomm Snapdragon 480+ 989
Qualcomm Snapdragon 480 987
Samsung Exynos 8895 872

스펙표

AP종류Qualcomm Snapdragon 835
출시일03/22/2017
CPU 아키텍처인4x 2.45GHz Cortex-A73 + 4x 1.9GHz Cortex-A53
코어갯수8
CPU 클럭2.45 GHz
생산 공정10 nm
그래픽코어 (GPU)Adreno 540
TDP9
저장 용량8 GB
FeaturesSnapdragon X16
Upload Speed150 Mbps