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Qualcomm Snapdragon 835 3DMark Benchmark score

Le Qualcomm Snapdragon 835 a un score de référence d'environ 1069 points au benchmark 3DMark, ce qui le place au-dessus de ses concurrents comme le Qualcomm Snapdragon 690 (qui a obtenu 1039 points dans ce test). Il a été utilisé pour les smartphones Xiaomi MI6 C et LeEco Le X. Le Qualcomm Snapdragon 835 est un CPU puissant qui possède 8 cœurs, une fréquence d'horloge de 2.45 GHz, un GPU Adreno 540 et un support mémoire de 8 GB. Le processeur est basé sur l'architecture 4x 2.45GHz Cortex-A73 + 4x 1.9GHz Cortex-A53 et la puce est fabriquée selon la technologie 10 nm avec un TDP de 9. Le modem intégré prend en charge des vitesses allant jusqu'à 150 Mbit/s. Nous savons combien il est important de voir comment notre puce se comporte par rapport aux autres caractéristiques des chipsets, c'est pourquoi nous avons inclus une fiche technique ci-dessous avec ses points de performance.

Qualcomm Snapdragon 835 3DMark Benchmark score
Qualcomm Snapdragon 835 3DMark Benchmark score

Quel est le score 3DMark Benchmark du Qualcomm Snapdragon 835 ?

CPU3DMark benchmark
MediaTek Dimensity 700 1102
MediaTek Helio G99 1101
Qualcomm Snapdragon 7 Gen 4 1099
UNISOC T765 1099
MediaTek Helio G96 1084
Qualcomm Snapdragon 835 1069
Qualcomm Snapdragon 690 1039
UNISOC T750 1011
Qualcomm Snapdragon 480+ 989
Qualcomm Snapdragon 480 987
Samsung Exynos 8895 872

Fiche technique

Nom du produitQualcomm Snapdragon 835
Date de sortie03/22/2017
Architecture CPU4x 2.45GHz Cortex-A73 + 4x 1.9GHz Cortex-A53
Nombre de cœurs8
Fréquence processeur‎2.45 GHz
Finesse de gravure10 nm
GPUAdreno 540
TDP9
Mémoire8 GB
FeaturesSnapdragon X16
Upload Speed150 Mbit/s